SunEvo Solar Photovoltaic Solar Panel Module
製品

EVO5N 625W 両面受光 N 型 TOPCon 156 セル太陽電池モジュール

E VO 5N シリーズ 両面受光モジュールは、最先端の N タイプ TOPCon テクノロジー、182 mm シリコン ウェーハ、およびハーフセルを組み合わせています。 30 年の寿命により、従来の P タイプ モジュールと比較して10 ~ 30% の追加発電量が得られます。SunEvo N タイプ両面受光ハーフセル モジュールは、605 W ~ 625 W の出力範囲に達できます。 

  • ブランド:

    SunEvo
  • パワーレンジ :

    605W~625W
  • max.効率 :

    22.36%
  • セルの数 :

    156 (6×26)
  • モジュールの寸法L*W * H :

    2465 x 1134 x 30mm
  • 重さ :

    34.5kgs
  • フロントサイドガラス :

    2.0mm coated semi-tempered glass
  • 裏面ガラス :

    2.0mm semi-tempered glass
  • フレーム :

    Anodized aluminium alloy
  • 接続箱 :

    Ip68 rated (3 bypass diodes)
  • ケーブル :

    4mm² , 300mm (+) / 300mm (-), Length can be customized
  • 風/雪の負荷 :

    5400Pa
  • コネクタ :

    MC4 compatible
  • 両面性 :

    80±5%

新製品

E VO 5N N タイプ TOPCon 156 ハーフセル605W 610W 615W 620W 625W 両面受光デュアルガラスソーラーモジュール

E VO  5N シリーズ 両面受光モジュールは、最先端の N タイプ TOPCon テクノロジー、182 mm シリコン ウェーハ、ハーフセルを組み合わせています。 30 年の寿命により、従来の P タイプ モジュールと比較して10 ~ 30% の追加発電量が得られます 。SunEvo N タイプ両面受光ハーフセル モジュールは、605 W ~ 625 W の出力範囲に達できます。

 

電気的パラメータ (STC*)

最大電力 (Pmax/W)

605

610

615

620

625

最大電源電圧 (Vmp/V)

45.63

45.76

45.90

46.03

46.16

最大電力電流 (Imp/A)

13.26

13.33

13.40

13.47

13.54

開回路電圧 (Voc/V)

55.30

55.41

55.53

55.64

55.75

短絡電流 (Isc/A)

13.97

4月14日

14.11

14.18

14.25

モジュール効率 (%)

21.64

21.82

22:00

22.18

22.36

電力出力許容値 (W)

0/+5W

Iscの温度係数

+0.045%/℃

Vocの温度係数

-0.250%/℃

Pmaxの温度係数

-0.290%/℃

 

両面出力 - 背面電力利得
5% 最大電力 (Pmax/W) 635 641 646 651 656
モジュール効率 STC(%) 22.73 22.91 10月23日 23.29 23.48
15% 最大電力 (Pmax/W) 696 702 707 713 719
モジュール効率 STC(%) 24.89 10月25日 25.30 25.51 25.71
25% 最大電力 (Pmax/W) 756 763 769 775 781
モジュール効率 STC(%) 5月27日 27.28 27.50 27.73 27.95
 
 
TOPCon ソーラーウェーハを製造するにはどうすればよいですか? 

1. テクスチャリング

テクスチャリング セクション (合計 6 行) には、次のものが含まれます。

前洗浄

ベルベット加工前の純水洗浄

テクスチャリング※3

ベルベット後の純水洗浄

掃除後

洗浄後は純水で洗浄してください

酸洗い

酸洗後純水洗浄

脱水前のゆっくりとした引っ張り

乾燥※5など

 

2. ホウ素の拡散

拡散プロセスの目的は、シリコンウェーハ上に PN 接合を形成し、光エネルギーを電気エネルギーに変換することです。PN接合製造装置は拡散炉です。このプロジェクトでは、ガス状の三塩化ホウ素を使用して拡散炉内でシリコンウェーハを拡散します。ホウ素原子はシリコンウェーハ内に拡散し、シリコンウェーハの表面にホウケイ酸ガラスの層を形成します。主な反応式は次のとおりです。

4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑

2B2O3+3Si→3SiO2+4B

 

3. SEレーザーリドーピング

レーザードーピング技術は、金属グリッド線(電極)とシリコンウエハーの接触部分に高濃度のドーピングを行い、電極の外側には軽いドーピング(低濃度ドーピング)を残す技術です。熱拡散によってシリコンウェーハの表面に事前拡散を実行し、ライトドーピングを形成します。同時に、表面の BSG (ホウケイ酸ガラス) が局所的なレーザー高濃度ドーピング源として使用されます。レーザーの局所的な熱効果により、BSG 内の原子が再びシリコン ウェーハ内に急速に拡散し、局所的な高濃度ドーピング領域が形成されます。

 

4. 後酸化

シリコンウェーハの表面をレーザーSEで処理すると、レーザーのスポットエネルギーによりボロン拡散面(光入射面)の酸化層が破壊されます。アルカリ研磨やエッチングの際には、シリコンウェーハのリン拡散面(光入射面)を保護するためのマスク層として酸化層が必要となります。したがって、レーザーSEで走査した表面の酸化層を修復する必要があります。

 

5. POPAID 堆積その場ドーピング

POPAIDプロセスは、トンネル酸化層とドープシリコン層によって準備されたプレートコーティングを統合するための重要なプロセスです。

 

6. アニーリング

シリコンウェーハを石英ガラス製の反応管に入れ、反応管を抵抗線加熱炉で一定温度(一般的に使用される温度は900~1200℃ですが、特殊な条件下では600℃以下まで下げることも可能)に加熱します。酸素が反応管を通過すると、シリコンウェーハの表面で化学反応が発生します。

Si(固体)+O2(気体)→SiO2(固体)

 

7.BOEの洗浄

酸洗い槽*2

洗った

酸洗後(HCL/HF/DI)

洗った

ゆっくりと持ち上げる

乾燥*6

 

8. フロントコーティング

基本原理は、高周波光放電を利用してプラズマを発生させ、成膜プロセスに影響を与え、ガス分子の分解、結合、励起、イオン化を促進し、反応性基の生成を促進することです。

酸窒化シリコン膜の PECVD 堆積中に発生する主な化学反応は次のとおりです。

SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑

 

9. 裏面コーティング

酸窒化シリコン膜の PECVD 堆積中に発生する主な化学反応は次のとおりです。

SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑

 

10. メタライゼーション

1) 印刷

印刷プロセス中、スラリーはスクリーンの上にあり、スクレーパーは一定の圧力でスクリーンに押し付けられるため、スクリーンが変形してシリコンウェーハの表面に接触します。スラリーは、押し出しによってシリコンウェーハの表面に接触します。シリコンウェーハの表面には強い吸着力があり、スラリーをメッシュから奪い取ります。このとき、スクレーパーが作動しており、あらかじめ変形させたステンシルが良好な復元力を発揮してスラリーをシリコンウェーハ表面にスムーズに落下させます。このうち銀ペーストは、高純度の銀とアルミニウムの超微粉末を主金属とし、助剤として一定量の有機バインダーと樹脂を加えたペースト印刷ペーストです。

 

2) 焼結

焼結とは、シリコンウェーハ上に印刷されたメインの微細グリッドペーストをセル内に高温で焼結することで、電極が表面に埋め込まれ、強固な機械的接触と良好な電気的接続が形成され、最終的に電極とシリコンウェーハ自体の間にオーミック接触が形成されます。

 

3) 電気注入

セルを焼結した後、キャリアの直接電気注入(直流の逆注入)の方法を使用して、シリコン本体内の水素の荷電状態を変化させます。これにより、減衰したホウ素酸素複合体が十分に不動態化され、安定した再生生態系に変換され、最終的に光減衰防止の目的が達成されます。

 

11. テスト包装

太陽電池が製造された後、太陽電池の電気的性能パラメータが試験機器を使用して試験されます(IV 曲線、光変換率、その他の電気パラメータの測定など)。テストが完了すると、バッテリーは特定の基準に従って自動的に複数のレベルに分割されます。

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